Siemens/ Mitsubishi: Zusammenarbeit bei SiC-Leistungshalbleiter-Modulen
Siemens Mobility und Mitsubishi Electric Europe B.V. haben ein Memorandum of Understanding (MoU) unterzeichnet. Darin vereinbaren beide Unternehmen die Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Technologie von SiC-Leistungshalbleiter-Modulen.
Die Verwendung von Siliciumcarbid ermöglicht eine noch höhere Effizienz und größtmögliche Gewichtsreduzierung. Insbesondere die Full SiC 3300 V Leistungshalbleiter-Module tragen zur Energieeinsparung und zur Verkleinerung von Traktionsumrichtern bei. Der für schnelles Schalten geeignete SiC-Chipsatz wird im standardisierten LV100-Gehäuse eingesetzt. Das LV100-Gehäuse bietet eine geringe Streuinduktivität und einfache Parallelschaltbarkeit. Die Leistungsverluste von LV100-Full-SiC-Modulen können im Vergleich zu herkömmlichen SiC-Leistungshalbleiter-Modulen im Wechselrichterbetrieb um ca. 75 % reduziert werden. Siemens nutzt die Technologie beispielsweise bei dem Batteriezug (BEMU) Mireo Plus B. (cm)
